型号:STS10DN3LH5 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
系列 | STripFET™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 21 毫欧 @ 5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 4.6nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 475pF @ 25V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
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